大功率器件專(zhuān)用氮化鎵單晶襯底

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE FOR HIGH POWER DEVICES

產(chǎn)品中心

Products Center

4英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）

規(guī)格：GaN-FS-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.1 mm 厚度：650 ± 50 μm 電阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

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4英寸自支撐氮化鎵晶片（鐵摻）

規(guī)格：GaN-FS-C-SI-C100 尺寸：Ф 100 ±1 mm 厚度：420 ±50μm 電阻率(300k)：>1×10?Ω*cm

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2英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）

規(guī)格：GaN-FS-C-U-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 電阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

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4英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）

規(guī)格：GaN-FS-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.1 mm 厚度：650 ± 50 μm 電阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

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4英寸自支撐氮化鎵晶片（鐵摻）

規(guī)格：GaN-FS-C-SI-C100 尺寸：Ф 100 ±1 mm 厚度：420 ±50μm 電阻率(300k)：>1×10?Ω*cm

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2英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）

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更多產(chǎn)品

專(zhuān)業(yè)的高質(zhì)量氮化鎵襯底供應(yīng)商

蘇州納維科技有限公司致力于第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵材料——氮化鎵（GaN）單晶襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，經(jīng)過(guò)15年努力，實(shí)現(xiàn)了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)、完成了4英寸產(chǎn)品的工程化技術(shù)開(kāi)發(fā)、突破了6英寸的關(guān)鍵技術(shù)，現(xiàn)在是國(guó)內(nèi)和國(guó)際少數(shù)幾家之一能夠批量提供2英寸氮化鎵單晶產(chǎn)品的單位；氮化鎵產(chǎn)品性能綜合指標(biāo)國(guó)際領(lǐng)先，未來(lái)3年重點(diǎn)實(shí)現(xiàn)將技術(shù)先發(fā)優(yōu)勢(shì)轉(zhuǎn)化為在全球的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。

蘇州納維科技有限公司成立于2007年，專(zhuān)注于高質(zhì)量氮化鎵半導(dǎo)體單晶材料的生長(zhǎng)。氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表，它是節(jié)能照明、激光投影顯示、智能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)、5G通信等產(chǎn)業(yè)的核心基礎(chǔ)材料，預(yù)計(jì)到未來(lái)將形成萬(wàn)億美元以上的市場(chǎng)規(guī)模。

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專(zhuān)業(yè)的高質(zhì)量氮化鎵襯底供應(yīng)商

蘇州納維科技有限公司致力于第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵材料——氮化鎵（GaN）單晶襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，經(jīng)過(guò)15年努力，實(shí)現(xiàn)了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)、完成了4英寸產(chǎn)品的工程化技術(shù)開(kāi)發(fā)、突破了6英寸的關(guān)鍵技術(shù)，現(xiàn)在是國(guó)內(nèi)和國(guó)際少數(shù)幾家之一能夠批量提供2英寸氮化鎵單晶產(chǎn)品的單位；氮化鎵產(chǎn)品性能綜合指標(biāo)國(guó)際領(lǐng)先，未來(lái)3年重點(diǎn)實(shí)現(xiàn)將技術(shù)先發(fā)優(yōu)勢(shì)轉(zhuǎn)化為在全球的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。

蘇州納維科技有限公司成立于2007年，專(zhuān)注于高質(zhì)量氮化鎵半導(dǎo)體單晶材料的生長(zhǎng)。氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表，它是節(jié)能照明、激光投影顯示、智能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)、5G通信等產(chǎn)業(yè)的核心基礎(chǔ)材料，預(yù)計(jì)到2025年將形成萬(wàn)億美元以上的市場(chǎng)規(guī)模。

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